充电MOS是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效应晶体管。依照其通道的极性不同，可分为N型与P型的MOSFET
| 型号 | 极性 | VCEO(V) | IC(mA) | hFE(V) | 等效产品 | 封装形式 | 备注 | |
| Min | Max | |||||||
| CJ5853DC | P-ch MOS | -20 | -2700 | – | – | CJ2301 | DFN3×2-8L-B | 展讯平台 |
| Diode | 20 | 4000 | MBR0520 | |||||
| CJLJF3117P | P-ch MOS | -20 | -3300 | – | – | CJ2301 | DFNWB2×2-6L-A(P0.65/0.75/0.85) | |
| Diode | 30 | 2000 | RB551V-30 | |||||
| CJMNT32 | PNP+N-ch | -32 | -1500 | 100 | 300 | CJ818C | DFNWB2×2-6L-U | MTK平台 |
| 2SK3541 | ||||||||
| CJMNT31 | PNP+N-ch | -30 | -3000 | 100 | 300 | CJ818C | DFNWB2×2-6L-I | |
| 2SK3541 | ||||||||